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ku娱乐真人游戏.传展锐获超40亿融资出货同比大增;刘德音卸任!台积

来源:ku酷游官网入口 作者:ku游网页登录浏览:5次更新:2024-06-10 20:06:05

  近年来,全球地缘、国际贸易环境发生了深刻变化。中美在科技方面的竞争聚焦于半导体行业,受益于国产替代的宏伟前景、国家的鼓励政策和巨大的国内市场需求,资本涌入半导体企业。在经历了野蛮生长、百花齐放后,行业发展逐渐理性,然而真正优质的项目依然备受热捧,投资潜力巨大。投资机构不断积蓄内力的同时更加专注在细分领域寻找各自的机会。

  为揭示最全面、最前沿、最详细、最权威的产业投资方向,中国半导体投资联盟、集微咨询(JW Insights)重磅发布《中国半导体股权投资月刊(2024年4月)》,立足于中国半导体股权投资市场的时代背景,结合国内半导体投资事件的行为脉络,深度解析国内半导体投资市场发展的领域、赛道及区域分布变化,并提炼出重点融资事件的市场主体特点,最后展示了中国半导体投资的全景清单。

  近年来,随着人工智能、智能网联汽车、5G、云计算、数据中心等新兴市场的不断发展,全球半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。从全球半导体市场的角度来看,市场增速正在由疾转缓。

  美国半导体行业协会(SIA)发布声明称,随着人工智能(AI)需求的激增和汽车芯片的稳步增长,将有助于推动今年全球芯片销售的反弹,相较于2023年下降8.2%的基准、预计2024年全球芯片销售额将增长13.1%。2024年第一季度全球半导体销售总额为1,377亿美元,与2023年第一季度相比增长15.2%,但与2023年第四季度相比下降5.7%。2024年3月份的销售额与2024年2月份相比下降了0.6%。

  从地区来看,3月份中国(27.4%)、美洲(26.3%)和亚太地区/所有其他地区(11.1%)的同比销量有所增长,但欧洲(-6.8%)和日本(-9.3%)的环比销量有所下降。中国的月度销售额与上月持平,但美洲(-0.1%)、欧洲(-0.9%)、亚太地区/所有其他地区(-1.2%)和日本(-2.0%)的月度销售额有所下降。

  全球集成电路市场规模持续扩大,呈现高度景气的状态的驱动因素主要为下游应用市场的蓬勃发展,例如,智能手机&5G手机、笔记本电脑市、汽车&新能源汽车、数据中心服务器等。集微咨询预计,虽然全球增速放缓,汽车&新能源汽车仍将是下一轮高速发展的风口。

  2024年04月,汽车产销分别完成240.6万辆和235.9万辆,环比分别下降10.5%和12.5%,同比分别增长12.8%和9.3%。1-4月,汽车产销累计完成901.2万辆和907.9万辆,同比分别增长7.9%和10.2%。2024年04月,新能源汽车产销分别达到87万辆和85万辆,销量环比下降3.7%,同比分别增长35.9%和33.5%,市场占有率达到36%。1-4月,新能源汽车产销分别完成298.5万辆和294万辆,同比分别增长30.3%和32.3%;市场占有率达到32.4%。

  据集微咨询统计,2024年04月,中国半导体产业融资事件共计41起,同比-15%,环比+8%。2024年04月估算涉及总金额42亿元,同比-56%,环比-78%;估算4月平均单笔交易金额约1.02亿元。

  从行业分布来看,IC设计类、半导体设备与半导体材料位列三甲。2024年04月中国IC设计发生融资事件18起,占比44%,半导体设备领域有11起融资事件,占比27%。

  2024年04月中国半导体投资细分赛道中,半导体设备、半导体材料和逻辑芯片赛道关注度较高,共发生24起融资事件,占比达57%。

  2024年04月融资事件中,A轮13家,占比31%。在A轮融资中,半导体设备企业占比最高,共4家企业、占比约31%。

  据集微咨询统计,2024年04月中国半导体融资事件中,公开披露金额事件共计28起,未披露金额事件13起。其中,单笔融资金额发生较多的1亿及以下区间共计12起,占比29%;1-3亿区间共计9起,占比22%;3亿及以上区间共计7起,占比17%。

  2024年04月中国半导体融资企业地域主要分布在江苏省(10)、上海市(10)、广东省(6)、北京市(5)等,共计占融资企业百分比76%。

  此外,《中国半导体股权投资月刊(2024年4月)》还介绍了智能手机&5G手机、笔记本电脑和数据中心服务器等市场发展概况和2024年4月中国半导体投融资事件宏观分析、细分领域分析、融资企业特征分析,并详细阐述了投资热点事件。

  中国半导体产业高速发展大潮势不可挡,科创板和创业板红利期尚在,其中也必然蕴含着巨大的机遇。《中国半导体股权投资月刊》也将提供最全面、最前沿、最详细、最权威的股权投资信息,帮助读者掌握行业信息,抓住投资机会。

  目前,《中国半导体股权投资月刊》已在爱集微官网与APP正式上线,欢迎登录爱集微官网、爱集微APP,首页点击“集微报告”栏目,即可进行订购。

  第八届集微半导体大会即将于2024年6月28日—29日在厦门国际会议中心酒店举办,大会邀请产业、科研、资本等各界精英在此云集,为我国半导体产业搭建高质量交流平台。作为本届大会的重要环节,“第二届芯力量科技成果转化路演”也将在6月29日同期举行。

  高等院校、科研机构是我国产业基础研究的主力军,国家知识产权局的统计数据显示,截至2023年底,国内高校有效发明专利拥有量达79.4万件,科研机构有效发明专利拥有量达22.9万件,合计占国内有效发明专利总量的1/4。在半导体产业发展如火如荼的当下,亟需优质科技成果赋能行业,加快从实验室到现实生产力的转化。

  加快科技成果向现实生产力转化,是培育和发展新质生产力的必然要求,然而高校在面对成果如何“转化”时,与一线企业、产业资本存在信息差,仍有一些阻力和挑战存在,如转化效率低、专利许可保护、产业链匹配难等等。此次路演邀请多位半导体资深大咖,为项目精准赋能,直击痛点。

  第二届芯力量科技成果转化路演活动旨在快速链接科研成果与资本,让更多创新性成果走向市场,实现我国科技自立自强。本届路演依旧精准聚焦半导体行业,项目覆盖IP、EDA、设计、设备、材料等全产业链,行业覆盖新能源、汽车、IoT、消费电子、医疗、软件服务、机器人、航空航天、工业等更广领域,能够以极高的效率实现产学研深度融合,充分发挥高校、机构的科研成果特色,实现精准对接。

  2023年6月至今,“芯力量科技成果转化路演”已举办多场,吸引了来自清华、北大、复旦、中科大、浙大、北航、南科大等众多院校的实力项目。同时,海望资本、武岳峰科创、新潮创投、元禾璞华、小米产投、华登国际、中芯聚源、浦科投资、芯动能投资、智路资本等500+知名投资机构积极参与,并在会后成功与资本进行一对一深入对接。

  此次大会,爱集微基于上届论坛掀起的科技成果转化“破题”热继续“耕作”,将重磅推出“集微科技成果转化项目库”,汇聚全国各大院校知名科技成果转化项目,搭建首屈一指的交流平台。

  报名参与路演的项目将享受福利,加入项目库,实现高效灵活展示,未来持续得到更多曝光机会,切实全面助力科技成果转化。

  目前“集微科技成果转化项目库”的测试版已正式上线多个科技成果转化项目,并且还在持续不断完善更新中。

  报名参与科技成果转化路演项目,将在集微半导体大会校友论坛登台进行10分钟演讲的宝贵机会,凸显项目在自身行业的竞争力。爱集微凭借多年来在行业信息、资源对接方面的优势,持续助力校友会加强“母校联络”,推动产学研融合。

  本届集微大会校友论坛,与会高校规模继续增加,包括:清华大学、北京大学、复旦大学、上海交通大学、浙江大学、中国科学技术大学、西安交通大学、西安电子科技大学、学、东南大学、华中科技大学、武汉大学等35家高校。届时,也将举办校友、行业小规模酒会。

  为保障优秀项目得到更多沟通机会,路演高校可参加校友论坛晚宴,不仅能够与校友畅聊,还能够与众多半导体产业人士,如名企董事长/CEO、投资机构、行业专家等共话未来。

  爱集微持续赋能半导体产业发展,串联资本、产业链、政府/园区、高校等资源,倾力打造一场丰富、全面、创新的活力盛宴。目前科技成果转化路演项目正在火热征集中,诚邀各高校、科研院所团队携科研项目报名参加!

  第八届集微半导体大会将在厦门国际会议中心酒店举办,设置“1+50+1”架构,即1个主论坛、50场专题论坛、1个半导体展,突出国际化、专业化、特色化,紧密衔接国家产业政策,重点拓宽国际视野,彰显半导体产业元素。

  日前,台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布,台积电已成功集成不同晶体管架构,在实验室做出CFET(互补式场效应晶体管)。张晓强指出,CFET预计将被导入下一代的先进逻辑工艺。CFET是2nm工艺采用的纳米片场效应晶体管(NSFET,也称为环栅或 GAA)架构后,下一个全新的晶体管架构。从14nm导入三维FinFET(鳍式场效应晶体管)起,人们已将摩尔定律推进到3nm节点,明年即将量产的2nm芯片将全面转向GAA架构。与此同时,人们也在积极储备下一代的芯片技术力量。全新的CFET架构或将成为埃米时代的主流架构。

  CFET 作为一种晶体管垂直堆叠CMOS工艺,于 2018 年由比利时微电子研究中心(IMEC)提出。人们普遍认为,CFET将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。根据此前IMEC公布的技术路线图,凭借CFET,芯片工艺技术在2032年将有望进化到5埃米(0.5nm),2036年有望实现2埃米(0.2nm)。

  因此,不仅是台积电,还包括三星、英特尔在内的芯片三巨头,都对CFET的开发给予高度重视。英特尔是三家中最早演示CFET的,早在2020年就在由IEEE电子器件协会主办的IEEE IEDM会议上发布了早期版本,其围绕 CFET 制造的最简单电路(inverter)做了多项改进。英特尔组件研究小组首席工程师Marko Radosavljevic表示:“inverter是在单个鳍片上完成的。在最大缩放比例下,它将是普通CMOS逆变器尺寸的50%。”此外,英特尔还通过将每个器件的纳米片数量从2个增加到3个,将两个器件之间的间距从50 nm减小到30 nm。

  三星对CFET的开发也很积极。在当时的会议。

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