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ku娱乐真人游戏.基于IPD技术的集总元件低通滤波器设计方案(上)

来源:ku酷游官网入口 作者:ku游网页登录浏览:13次更新:2024-02-29 15:08:37

  这里是我对IPD的学习笔记,并且尝试设计了一款准切比雪夫低通滤波器,分享给大家。如有错误,恳请不吝赐教。

  其中Rs和 Ls 分别表示电感金属螺旋导线部分的串联电阻和电感。Cs 为金属螺旋导线各匝之间的电容。

  Cox 表示金属螺旋导线与氧化硅称底层之间的电容,Csi和 Rsi 分别表示衬底硅的耦合电容和漏电电阻。

  其中 KK1、 2是由电感金属导带形状来确定的常数,可以由下表得到, u0是真空磁导率,n 表示金属导带的圈数,davg表示的是金属导带内径和外径的平均值。ρ 代表了线圈填充率,公式为

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