的重要作用，所以显得格外的不可或缺，我们都知道在选择肖特基二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。

　　但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。知道其特性，对于我们的使用也更加得心应手，下面这篇文章将带你一起去探索神秘的肖特基二极管特性。

　　在肖特基二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。

　　只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，肖特基二极管才能真正导通。

　　但肖特基二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图的测试电路在常温下对型号为SM360A的肖特基二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。

　　从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率肖特基二极管来说它不仅影响效率也影响肖特基二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的肖特二极管。

　　环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，肖特基二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表的关系曲线可知道：肖特基二极管的导通压降与环境温度成反比。

　　在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响肖特基二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。

　　在肖特基二极管两端加反向电压时，其内部电场区域变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。

　　漏电流也是评估肖特基二极管性能的重要参数，肖特基二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系所示：反向电压愈大，漏电流越大，在常温下肖特基二极管的漏电流可忽略。

　　其实对肖特基二极管漏电流影响最大的还是环境温度，是在额定反压下测试的关系曲线，从中可以看出：温度越高，漏电流越大。

　　在75℃后成直线上升，该点的漏电流是导致肖特二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一，只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低肖特基二极管的工作温度。

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　　势垒整流器是非常受设计人员欢迎的器件，因为其具有极快的开关速度、非常低的正向压降、低泄漏和高结温能力。MBR系列

　　的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅

　　正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压

　　正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。3.能耐受高浪涌电流。4.以前的

　　，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体

　　区别：恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 优点还有低功耗，大电流，超高速！电

　　它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流

　　MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用，并能最大程度降低开关损耗。

　　具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，*高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路率开关器件

　　具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC

　　是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

　　较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、打电流整流（或续流）电路的效率。

　　除了型号，外形上一般没什么区别，但可以测量正向压降进行区别，直接用数字万用表测（小电流）普通

　　并扩展了应用的可能性。除了太阳能电池板和汽车，它们现在也被用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电池充电器。早在1938年，德国

　　的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作

　　中非常常见的型号，TO-247封装，正向整流60A，反向耐压200V，正向压降0.87V，正向峰值浪涌电流500A，反向漏电流为

　　流等，但我们很少知道它们在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系。下面给大家介绍一下PS1545L-ASEMI

　　（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成

　　：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有

　　导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，就让立深鑫电子和大家来分享一下

　　，B82-004的最高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数.

　　`我们的生活中，处处充满着科技的产物，电视机、电冰箱、电脑、汽车、太阳能路灯等等。你见过了那么多的科技产品，可知道

　　MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用，并能最大程度降低开关损耗。

　　桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路；在整流桥的每个工作周期内，同一时间

　　保护措施不力。整流装置末设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏

　　正向压下降许多，所以自身功耗较小，效率高。2.因为反向电荷康复时间极短，所以适合作业在高频状态下。3.目前市场上多见的

　　最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。其多用作高频、低压、大电流整流

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　　是生产电子产品不可或缺的重要保护器件，尤其在便携式电子产品及开关电源中应用广泛，深受电子行业的喜爱，可是在

　　是重要的电子元器件，因为其承载着保护电路的重要作用，所以显得格外的不可或缺，我们都知道在选择