SiC是第三代宽禁带半导体材料的代表，在击穿场强、电子饱和漂移速度，热导率等物理特性上更有优势，因此SiC 器件和功率模块较Si具有更优异的电气特性，也是能够超越摩尔定律的突破路径之一，被广泛应用于新能源领域（光伏、储能、充电桩、电动车等）。

　　本期讲堂首先将全面、系统地介绍SiC 全产业链的国内外发展趋势，从SiC材料的性能，器件设计与制造，模型建立，模组开发以及封装等几个方面进行讲授。然后，深入讨论从器件元胞设计，模组设计到封装的模型、工具与方法学，并突出设计的挑战与其相应解决方案。

　　国际半导体产业协会（SEMI China）、广东省集成电路行业协会、浦东工业技术研究院、上海集成电路技术与产业促进中心、求是缘半导体联盟等

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　　1988年6月和1991年6月获得西安交通大学电子工程系工学学士学位和工学硕士学位，1995年4月在中国科学院半导体研究所获得半导体物理与器件专业理学博士学位。1999年进入清华大学微电子学研究所CAD技术研究室工作，2004年晋升为教授。2003年至2016年期间，担任CAD技术研究室副主任、主任、微电子学研究所党委、微电子学研究所副所长、微电子学与纳电子学系副主任。现任国际期刊Journal of Computational Electronics副主编，中国仿真协会集成微系统建模与仿真专业委员会副主任委员，国家新能源汽车技术创新中心技术专家委员会委员。华大半导体科技有限公司和上海积塔半导体有限公司外部董事。作为负责人承担了多项 973、863、国家重大研究计划、国家重大科技专项、国家自然科学基金课题以及国内主流企业委托科研项目。带领团队完成的项目“集成电路建模与仿线年获得中国仿真协会科技进步一等奖（排名第一），在国内外著名期刊和会议上发表学术论文200余篇，获得中外授权发明专利数十项。指导的学生多次获得国际会议最佳论文奖。